Occasion NOVELLUS CONCEPT One-200 #293760904 à vendre en France
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ID: 293760904
Taille de la plaquette: 8"
PECVD System, 8"
Process: TEOS
Material: Aluminum
PSG
(2) 2000 Porters
(3) 1660
(2) HORIBA / STEC 500
EDWARDS iXH1210 Dry pump
EDWARDS iQDP80 Dry pump
EDWARDS Atlas Abatement system.
LAM RESEARCH/NOVELLUS CONCEPT One-200 est un équipement de réacteur de pointe qui combine l'expertise technologique de NOVELLUS Corporation et LAM RESEARCH Systems, Inc. pour offrir des performances supérieures dans les applications de dépôt en couches minces. Ce réacteur avancé est conçu pour être utilisé dans des procédés de fabrication de semi-conducteurs, notamment dans la réalisation de circuits intégrés et d'autres composants électroniques. Au cœur du réacteur NOVELLUS CONCEPT One-200 se trouve sa conception de chambre innovante, qui permet un contrôle précis du processus de dépôt. La chambre du réacteur est équipée de systèmes de régulation de la température et de la pression de pointe, ainsi que d'une gamme de systèmes d'évacuation des gaz et d'échappement qui assurent un dépôt uniforme des films sur la surface du substrat. Ce niveau de contrôle est essentiel pour atteindre les niveaux élevés d'uniformité d'épaisseur et de qualité de film requis dans les applications semi-conductrices avancées. L'une des caractéristiques clés du réacteur LAM RESEARCH CONCEPT One-200 est sa technologie de plasma de pointe. Le réacteur est équipé d'une source de plasma haute densité qui permet une génération de plasma très efficace et uniforme dans la chambre. Cette source de plasma est cruciale pour améliorer le processus de dépôt de film, améliorer les propriétés du film et optimiser l'efficacité du procédé. En outre, le réacteur est équipé de systèmes avancés de distribution de puissance RF (radiofréquence) qui permettent un contrôle précis des niveaux d'énergie plasmatique, ce qui améliore encore le processus de dépôt. Le réacteur CONCEPT One-200 dispose également d'un système de distribution de gaz sophistiqué qui permet le mélange précis et l'acheminement de divers gaz de processus vers la chambre. Cette unité permet aux utilisateurs d'adapter le procédé de dépôt à leurs besoins spécifiques, permettant le dépôt d'une large gamme de matériaux en couches minces avec un contrôle exceptionnel des propriétés des couches. Le réacteur est compatible avec une variété de gaz précurseurs, y compris le silane, l'hexafluorure de tungstène et d'autres matériaux communs utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs. En plus de ses capacités de traitement avancées, le réacteur LAM RESEARCH/NOVELLUS CONCEPT One-200 est conçu pour faciliter l'utilisation et la maintenance. La chambre du réacteur est facilement accessible pour le nettoyage et l'entretien, et la machine est équipée d'outils de diagnostic et de surveillance avancés qui permettent aux utilisateurs d'identifier et de traiter rapidement les problèmes qui peuvent survenir pendant le fonctionnement. Cela garantit une disponibilité et une productivité maximales pour les installations de fabrication de semi-conducteurs utilisant le réacteur NOVELLUS CONCEPT One-200. Dans l'ensemble, le réacteur LAM RESEARCH CONCEPT One-200 représente un progrès important dans la technologie de dépôt en couches minces. Sa conception innovante, sa technologie plasma avancée et ses systèmes de contrôle précis en font une solution idéale pour les fabricants de semi-conducteurs qui cherchent à obtenir un dépôt de couches minces de haute qualité pour leurs appareils électroniques avancés. Avec ses performances exceptionnelles, sa facilité d'utilisation et sa fiabilité, le réacteur CONCEPT One-200 est sur le point de devenir un atout clé dans la poursuite des technologies de nouvelle génération par l'industrie des semi-conducteurs.
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