Occasion PLASMATHERM LAPECVD PM3 #9382240 à vendre en France

Fabricant
PLASMATHERM
Modèle
LAPECVD PM3
ID: 9382240
Style Vintage: 2009
PECVD System Power supply: 208 V, 63 Amps, 3 Phase, 50/60 Hz 2009 vintage.
PLASMATHERM LAPECVD PM3 est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma destiné au dépôt de couches minces pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Le réacteur est conçu pour le fonctionnement de la pression atmosphérique, à l'aide de plasma inductif radiofréquence (RF) pour des réactions de surface améliorées, et pour le dépôt de matériaux multiples, y compris des métaux, des alliages, des oxydes et des nitrures. La chambre du réacteur est constituée d'un tube en quartz d'un diamètre intérieur de 32 cm et est évacuée par la pompe à vide mécanique. Un générateur RF fournit de l'énergie RF à la bobine inductive qui produit un plasma haute fréquence et basse pression. Le champ électrique généré par la bobine d'induction crée un plasma de densité uniforme. Un écran à plasma RF est utilisé pour réduire l'effet de charge de surface et pour assurer une homogénéité supplémentaire des gaz dans la chambre du réacteur. Le support de substrat est réalisé à partir d'un bloc de graphite pour éviter l'accumulation de matériaux, tout en permettant une répartition uniforme de la chaleur dans tout le support. Le porte-substrat est alors suspendu sur un support réglable et rotatif. Ceci permet de chauffer le substrat, tout en permettant sa rotation et son exposition au plasma. On obtient ainsi un dépôt uniforme de matériaux sur le substrat. Les gaz de procédé sont livrés à la chambre de procédé par des entrées individuelles de gaz ségrégées pour un contrôle précis des conditions de procédé. Les régulateurs de débit massique contrôlent précisément l'écoulement des gaz de procédé dans la chambre de procédé. La pression dans la chambre de procédé est contrôlée par un papillon et peut être réglée de la pression atmosphérique à 6 torr. Un mandrin électrostatique est utilisé pour maintenir une plaquette en place pendant le processus de dépôt. Le mandrin électrostatique applique une haute tension sur la plaquette, créant des forces électrostatiques positives et négatives qui maintiennent la plaquette en place pendant le processus de dépôt. Le système du réacteur est équipé d'un pyromètre optique pour mesurer la température du substrat. La température du substrat est mesurée par un pyromètre puis est automatiquement ajustée par le PLC pour maintenir la température du substrat dans les limites spécifiées par l'utilisateur. LAPECVD PM3 offre un moyen sûr et efficace de déposer des couches de protection minces sur les plaquettes. Le réacteur est conçu pour une stabilité à long terme avec des résultats cohérents, permettant aux fabricants d'obtenir des rendements améliorés de dispositifs semi-conducteurs de haute qualité.
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