Occasion SIEMENS CVD #9077944 à vendre en France

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Fabricant
SIEMENS
Modèle
CVD
ID: 9077944
Reactors with silver-plated bell jars Process: polysilicon deposition Inlet Gas system: STC-H2 Steel pedestal: (44) homogeneously distributed brackets (24) Silver-copper electrodes Ring pipe Operation Parameters: Length of silicon rods: up to 3.200 mm Operating pressure of reactor: 6 barg Design pressure of reactor : 8 barg Height of bell jar: 3.7 mm External diameter of bell jar: 1.8 mm Internal diameter of bell jar: 1.55 mm Thickness of internal steel jacket: 25 mm Thickness of silver-plate: 1.5 - 3 mm Total weight (empty): 8.5 kg Total weight (filled with water): 9.1 kg Design temperature internal wall: 300°C Connection of high temperature cooling water Diameter: DN 100 Design temperature: 200°C Typical operation temperatures (in & out): Up to 165°C Maximal operating pressure: 12.5 barg Normal operation pressure: 10- 10.5 barg Typical electrode cooling water temperature: Up to 85°C Inspection glass Connection cooling water: DN 25 Connection H2 for cleaning/cooling: DN 25 Diameter of inspection glass: 70 mm Reactor base plate: 2000 mm Diameter (24) Cylindrical holes (9) Nozzles Includes: Thyristors Transformators.
Le réacteur CVD de SIEMENS, ou plateforme CVD de microchimie, est une technologie de réacteur de pointe développée par SIEMENS qui permet la synthèse de films hautement contrôlés et cohérents de dépôt chimique en phase vapeur (CVD de SIEMENS). A son coeur, le réacteur CVD est constitué d'une plate-forme chauffée, d'une chambre à vide et d'une chambre de réaction. La plate-forme chauffée est conçue pour fournir une température uniforme à travers la chambre de réaction, assurant un résultat de réaction cohérent. La chambre à vide est une unité étanche qui abrite la chambre de réaction. Il est chargé de fournir la pression, la température et le débit de gaz pour le processus. La chambre de réaction est constituée d'un élément de traitement, d'une entrée de gaz et d'un orifice d'échappement de gaz. L'élément de traitement est celui où le mélange gazeux réactif est exposé à la chaleur, activant les procédés nécessaires à un dépôt réussi. L'entrée de gaz introduit le mélange gazeux réactif dans la chambre de réaction et l'orifice d'échappement élimine le gaz inutilisé. Pour réduire la complexité, SIEMENS a rendu le processus CVD de SIEMENS hautement automatisé, éliminant le besoin d'intervention manuelle et d'erreur humaine. Les caractéristiques du procédé CVD comprennent une interface graphique conviviale, un contrôle automatique du débit de gaz, un déplacement bidimensionnel des paramètres du procédé, ainsi qu'une surveillance totale du processus de dépôt. La technologie CVD de SIEMENS a été largement testée pour s'assurer qu'elle produit des films CVD cohérents et fiables. C'est un procédé très efficace pour produire une quantité contrôlée de matériaux à haute pureté, avec un haut degré d'uniformité tout au long du dépôt. En résumé, le réacteur CVD SIEMENS est un procédé moderne, automatisé et fiable de synthèse de films CVD. C'est une technologie de fabrication de pointe qui peut produire des dépôts de haute qualité et cohérents plus rapidement et plus rentable que les méthodes plus traditionnelles. Avec sa capacité à produire des gisements minces et hautement contrôlés, le procédé CVD SIEMENS est parmi les plus avancés de l'industrie aujourd'hui, fournissant aux fabricants une méthode efficace et reproductible pour produire des matériaux en couches minces qui est critique pour beaucoup d'électronique moderne.
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