Occasion TEL / TOKYO ELECTRON Probus SiC #293667917 à vendre en France

Le réacteur TEL/TOKYO ELECTRON Probus SiC (Silicon Carbide) est utilisé dans le procédé semi-conducteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour l'épitaxie sélective. Ce réacteur repose sur les technologies éprouvées des systèmes à tubes à paroi chaude. Le tube à paroi chaude est en matériau SiC (Silicon Carbide) de haute pureté et le détecteur est situé près de l'entrée du tube pour assurer l'uniformité de la couche déposée dans tous les procédés semi-conducteurs. L'extrémité du tube est équipée d'une buse fendue pour assurer l'homogénéité du débit de gaz et l'homogénéité du film déposé. Le réacteur TEL Probus SiC est équipé d'un équipement inerte de protection des gaz pour réduire la contamination. Le tube du réacteur comporte également un système de chauffage avec un profil de température désigné. Ceci permet un contrôle précis des conditions de procédé, de la formation et des propriétés du film. Le matériau SiC est équipé d'une unité de contrôle de pression et d'un manomètre pour assurer la précision du dépôt du film et du contrôle du procédé. Le réacteur TOKYO ELECTRON Probus SiC présente une variété de caractéristiques pour assurer la précision du film déposé. Il est conçu avec une machine de contrôle de l'homogénéité du film pour assurer l'uniformité de l'épaisseur du film déposé uniformément. De plus, un outil de rétroaction automatique peut être utilisé pour s'assurer que le profil de température du procédé est uniforme et cohérent. L'actif chauffant permet de contrôler avec précision la vitesse de dépôt et la formation du film. De plus, le réacteur est équipé d'une jauge d'épaisseur de film pour contrôler l'épaisseur du film déposé. Le réacteur Probus SiC est conçu pour être un outil fiable et précis pour le contrôle et l'analyse des processus de dépôt de films. Le modèle de protection anti-gaz inerte prévient la contamination et permet un contrôle plus sûr des processus. Le contrôle exact de la température permet de contrôler avec précision le processus et d'obtenir l'uniformité du film. Le contrôle de pression permet de contrôler avec précision la vitesse de dépôt du film et la formation du film. De plus, l'équipement d'auto-rétroaction permet de surveiller en permanence la précision du processus de dépôt. La jauge d'épaisseur du film et le système de contrôle de l'uniformité fournissent une base précise pour l'analyse du film et l'évaluation des propriétés des films.