Occasion ULVAC CME-200J #293828113 à vendre en France

ULVAC CME-200J est un réacteur de pointe de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) conçu pour le dépôt de couches minces de haute qualité dans des applications avancées de fabrication de semi-conducteurs et de recherche. Développé par ULVAC, premier fournisseur mondial d'équipements sous vide et de solutions technologiques, CME-200J offre un excellent contrôle des processus, de la flexibilité et de la productivité pour le dépôt d'une large gamme de films minces avec une homogénéité et des propriétés de film supérieures. Au cœur de l'ULVAC CME-200J se trouve sa technologie avancée de traitement du plasma, qui permet un contrôle précis du processus de dépôt pour obtenir des couches minces uniformes et sans défaut sur divers matériaux de substrat. Le réacteur est équipé d'une source de plasma RF de forte puissance qui génère un plasma fortement ionisé, permettant d'améliorer la qualité du film et le contrôle de l'épaisseur. La source de plasma est capable de fonctionner à une large gamme de fréquences et de niveaux de puissance, offrant une flexibilité pour optimiser les conditions de processus pour différentes exigences de dépôt de film. CME-200J dispose d'une conception à double chambre, avec des chambres séparées de processus et de serrure de charge pour une meilleure manipulation des plaquettes et des temps de cycle réduits. La chambre de procédés est équipée d'un équipement de pointe qui permet un contrôle précis et fiable des gaz de procédés, des débits de précurseurs et des niveaux de pression pendant le dépôt. La chambre de serrure permet un chargement et un déchargement efficaces des plaquettes, minimisant les temps d'arrêt entre les opérations et assurant un débit élevé pour les environnements de production. Un des points forts de l'ULVAC CME-200J est son système de régulation de température avancé, qui permet une régulation précise de la température du substrat pendant le dépôt. L'unité peut accueillir un large éventail de tailles et de types de substrat, de petits morceaux à de grandes plaquettes, et maintenir un profil de température stable sur toute la surface du substrat. Ce niveau de régulation de température est essentiel pour le dépôt de films uniformes ayant des propriétés sur mesure, telles que la contrainte, l'indice de réfraction et la cristallinité. Outre ses capacités de traitement avancées, CME-200J offre une interface conviviale pour faciliter le fonctionnement et la surveillance du processus de dépôt. Le réacteur est équipé d'une machine de contrôle complète qui permet de surveiller en temps réel les paramètres critiques du processus, tels que les débits de gaz, les propriétés du plasma et la température du substrat. Les opérateurs peuvent facilement programmer et ajuster les recettes de processus grâce à l'interface logicielle intuitive, permettant une optimisation rapide des processus et le développement de recettes. Dans l'ensemble, ULVAC CME-200J établit une nouvelle norme pour la technologie PECVD, offrant des performances, une fiabilité et une flexibilité inégalées pour le dépôt de couches minces dans les applications de semi-conducteurs et de recherche. Grâce à ses capacités avancées de traitement du plasma, à sa conception à double chambre, à son outil de contrôle de la température et à son interface conviviale, CME-200J est bien adapté aux environnements de production exigeants et aux projets de recherche de pointe qui exigent une qualité de film et un contrôle des processus supérieurs.