Occasion ULVAC EBS-10A #9055245 à vendre en France

ULVAC EBS-10A est un réacteur à plasma à basse énergie conçu pour la gravure de substrat de haute précision et le dépôt de film. Il utilise un gaz ionisé (plasma) pour créer une réaction chimique puissante sur un substrat. Cela permet la formation de structures électroniques complexes avec des largeurs de lignes fines et des processus reproductibles élevés. EBS-10A se compose d'une source d'énergie à haute fréquence, d'un contrôleur, d'une chambre et d'une source de gaz de procédé. La chambre est un environnement en acier inoxydable, scellé sous vide qui est capable de manipuler les pressions atmosphériques jusqu'à 0.1Torr. Il est équipé d'un grand viseur de 6,5 pouces de diamètre pour surveiller le processus à la surface du substrat. Le réacteur comporte également une antenne RF qui est utilisée pour transférer la puissance radiofréquence vers la chambre. La source d'énergie est capable de fournir une puissance RF de 0.2-800W à la chambre, permettant un large éventail de procédés tels que la gravure, le dépôt par pulvérisation, l'évaporation thermique et le dépôt par faisceau d'électrons. De plus, le contrôleur permet un contrôle très précis des paramètres plasmatiques et des variables de processus, y compris la pression de la chambre, le temps de gravure et la puissance RF. L'ULVAC EBS-10A est également équipé d'une unité d'alimentation en gaz capable de fournir du gaz de procédé et de transport avec des proportions et des débits très précis. Le gaz de procédé est composé d'un gaz inerte comme l'argon, qui est utilisé pour la gravure et d'autres réactions chimiques. Le gaz vecteur est habituellement un mélange d'oxygène (O2) ou d'azote (N2) et sert à contrôler la densité plasmatique et l'activation de surface. En conclusion, EBS-10A est un réacteur polyvalent et de haute précision conçu pour un large éventail de traitements de substrat, y compris la gravure, le dépôt de pulvérisateurs et le dépôt de films. Ses caractéristiques comprennent une chambre de pression réglable, une source RF puissante, une source de gaz précise et un contrôleur pour un contrôle précis du processus. Le réacteur à plasma offre un excellent contrôle sur les tailles de caractéristiques très fines et une répétabilité élevée, ce qui en fait un choix idéal pour le traitement du substrat.