Occasion VEECO / EMCORE K465 #293768283 à vendre en France
URL copiée avec succès !
Appuyez sur pour zoomer
ID: 293768283
Style Vintage: 2007
MOCVD System
(2) Heat exchangers
(2) Dry pumps
(4) Boxes
(2) Exhaust exchangers
Filter
Frame
Growth chamber
L Chamber
2007 vintage.
Le réacteur VEECO/EMCORE K465 est une plate-forme polyvalente d'épitaxie par faisceau moléculaire de source solide (MBE) pour le dépôt de couches minces semi-conductrices et la caractérisation des matériaux. L'équipement est conçu pour la recherche et le développement de dispositifs semi-conducteurs composés avancés tels que des circuits intégrés photoniques et des diodes laser par exemple. VEECO K465 est configurable comme un système standard avec une seule source, ou comme une plate-forme avancée avec deux ou plusieurs cellules d'effusion, ainsi que des composants de support tels que des régulateurs de débit massique, une unité de distribution de gaz, et un module d'évent/purge. La version standard a une petite taille de chambre de 14 pouces par 14 pouces et une pression maximale de 1E-7 Torr. Les composants de la chambre sont construits en acier inoxydable et des brides CF de qualité UHV pour assurer d'excellentes performances dans les applications sous vide ultra-haute. Le fond de la chambre est décongelé pour contenir le flux moléculaire et réduire la convection des gaz vers l'échantillon. L'élément chauffant est à base d'un élément d'encastrement en acier inoxydable revêtu de céramique et a une plage de température allant de 25 ° C à 1000 ° C La chambre est conçue pour une utilisation maximale de l'espace disponible pour le chargement des échantillons et est équipée d'un chargeur automatique d'échantillons à quatre positions et d'un carrousel. La plate-forme EMCORE K465 est également conçue pour traiter différents gaz réactifs et peut être équipée d'un outil de livraison de gaz propriétaire VEECO pour un contrôle et un débit de gaz sûrs et précis. Avec l'option double source, l'utilisateur peut sélectionner plusieurs matériaux sources et les configurer indépendamment pour les modes de co-dépôt et de séparation. Les systèmes de contrôle des processus sont conçus pour l'optimisation et la surveillance automatisées. Un débit massique unique et un contrôle partiel de la pression (MPPC) permettent un contrôle précis : cela garantit la stabilité des vitesses de processus et élimine la nécessité d'étalonnage fréquent. Le modèle est également équipé de capacités de diagnostic optique et de radiographie pour mesurer les propriétés optiques et la croissance des couches épitaxiales semi-conductrices dans la chambre. L'équipement laser optique présente une résolution spatiale et une analyse spectrale améliorées pour la mesure de l'épaisseur et des indices de réfraction des films ALD (dépôt sur couche atomique). D'autres techniques avancées telles que la spectroscopie d'émission Raman et VUV sont disponibles pour la recherche essentielle sur le dépôt de couches moléculaires. La sécurité du système est assurée par une unité de remblayage d'azote pour éviter la contamination de l'air et de l'oxygène. K465 réacteur est construit pour accueillir une gamme de substrats différents, y compris des plaquettes, des plaques de céramique, et des récipients plissés. L'outil MBE est fiable, efficace et offre des performances supérieures pour une large gamme d'applications de matériaux semi-conducteurs composés.
Il n'y a pas encore de critiques