Occasion VEECO / EMCORE TurboDisc K465i GaN #9375124 à vendre en France

VEECO/EMCORE TurboDisc K465i GaN Reactor est un réacteur polyvalent d'épitaxie en phase vapeur de prochaine génération conçu pour offrir une répétabilité de procédé, des taux de dépôt et une uniformité supérieurs. Il est idéal pour les applications de recherche et développement et de production, offrant des performances supérieures pour le processus de croissance de couches minces de matériaux nitrures du groupe III, tels que GaN, AlGaN et InGaN. Le réacteur K465i GaN est conçu spécifiquement pour le procédé HRM (High Rate Molecular Beam Epitaxy), qui peut permettre une croissance extrêmement élevée de la vitesse de dépôt, ce qui le rend adapté aux niveaux de recherche et de production commerciale. Sa conception spéciale offre plusieurs avantages par rapport aux techniques classiques de MBE (Molecular Beam Epitaxy), tels que l'amélioration du chauffage des substrats, une plus large gamme de compatibilité de la taille des plaquettes, un débit de dépôt plus élevé, une meilleure perfection cristalline et une répétabilité des processus. Le réacteur de K465i GaN se compose de plusieurs composantes, en incluant des réserves source d'oxyde du magnésium, des cellules d'effusion, une cryopression catomater la source, un détenteur substrate chauffé et deux pompes moléculaires du turbo. La source d'oxyde de magnésium est un composant critique dans le réacteur, car elle est chargée de fournir le matériau précurseur qui sera transformé en couche mince sur le substrat. Une cellule d'effusion retient le matériau source, tandis que la source de catomère cryopompe crée un flux précis d'atomes pour former le film mince sur le substrat. Le support de substrat chauffé permet de déposer le film mince à certaines températures, tandis que les pompes turbo-moléculaires créent un vide afin de réduire la contamination potentielle qui pourrait être présente dans la chambre de dépôt. Le réacteur de K465i GaN offre le contrôle incomparable sur la température, le taux de croissance et la réactivité substrate. Ceci permet de réaliser des couches minces extrêmement homogènes, même avec des structures complexes. En outre, il peut réaliser des taux de croissance extrêmement élevés par rapport aux machines MBE classiques, ce qui peut réduire considérablement le temps de dépôt. Dans l'ensemble, VEECO TurboDisc K465i GaN Reactor est un outil puissant pour la recherche et la production de couches minces de nitrure. Il offre une homogénéité et un contrôle inégalés sur l'interface substrat-film, permettant aux scientifiques et aux ingénieurs de profiter précisément de ses résultats. Avec son excellente répétabilité et performances, il peut être l'outil parfait pour obtenir des performances de dispositif supérieures avec moins de temps consacré au dépôt.