Occasion VEECO Fiji G2 #293794622 à vendre en France

Fabricant
VEECO
Modèle
Fiji G2
ID: 293794622
Style Vintage: 2021
Atomic Layer Deposition (ALD) system Substrate size: Up to 200 mm Cooler Single chamber Ozone generator Cooling system for process chamber Dry vacuum pump with filters Loadlock Glove box Heat source Process chambers for 2D and 3D elements Liquid sources: H2O, TMA, DEZ, TiCl4 Gas lines: O2, H2 Toxic gas lines: SiH4, NH2, H2S Temperature: 300°C Substrate temperature: 500°C 200mm Substrate heater standard 800°C 100mm Substrate heater optional Deposition uniformity: 1σ Uniformities Thermal AI203-1.5% Plasma AI203-1.5% Gases: Gas / Size Ar / 100 SCCM Ar / 200 SCCM N2 / 100 SCCM O2 / 100 SCCM H2 / 100 SCCM PC Operating system: Windows 7 Power supply: 220-240 VAC, 4200 W 2021 vintage.
VEECO Fiji G2 est un équipement avancé de dépôt de couches minces spécialement conçu pour des applications de recherche et développement dans les domaines des semi-conducteurs, de l'électronique et de l'optique. Ce réacteur est un outil de pointe qui offre un contrôle précis du processus de dépôt, permettant aux chercheurs de créer des couches minces de haute qualité avec une homogénéité et une reproductibilité exceptionnelles. Au cœur du système Fidji G2 se trouve son unité avancée de livraison de gaz, qui permet un contrôle précis du processus de dépôt. Le réacteur est équipé de multiples sources de gaz, chacune pouvant être commandée indépendamment pour adapter les conditions de dépôt aux besoins spécifiques du film mince désiré. Cette flexibilité permet aux chercheurs de déposer un large éventail de matériaux, y compris des oxydes, des nitrures et des métaux, avec des compositions et des propriétés variées. VEECO Fidji G2 dispose d'une chambre de dépôt à haute température pouvant atteindre des températures allant jusqu'à 1000 ° C, permettant le dépôt de structures complexes en couches minces et permettant la croissance de couches épitaxiales. La machine est également équipée d'un outil de contrôle de température de précision qui assure un chauffage uniforme du substrat, conduisant à des films très uniformes et sans défaut. L'un des principaux avantages du réacteur G2 fidjien est sa polyvalence dans la manipulation de différents types et tailles de substrat. L'actif est compatible avec des substrats de 6 pouces de diamètre, y compris des plaquettes de silicium, du verre et d'autres matériaux couramment utilisés dans la recherche sur les couches minces. Le réacteur est également équipé d'une chambre de verrouillage de charge, qui permet un chargement et un déchargement rapides et efficaces du substrat, minimisant les temps d'arrêt et maximisant la productivité. En plus de ses capacités avancées de distribution de gaz et de contrôle de la température, VEECO Fidji G2 dispose d'une source de plasma RF intégrée pour les processus de dépôt améliorés par plasma. La source de plasma peut être facilement réglée pour fournir l'énergie et le flux d'ions désirés, permettant aux chercheurs d'optimiser les conditions de croissance des couches minces pour améliorer la qualité et l'adhérence des couches. Fidji G2 est équipé d'un modèle de contrôle sophistiqué qui permet la surveillance et l'ajustement en temps réel des paramètres de dépôt. Les chercheurs peuvent facilement programmer des recettes de dépôt complexes à l'aide de l'interface logicielle intuitive, permettant un contrôle précis de l'épaisseur, de la composition et de la structure du film. L'équipement comprend également des outils complets d'enregistrement et d'analyse des données, permettant aux chercheurs de suivre le processus de dépôt et d'analyser la qualité des films déposés. Dans l'ensemble, le réacteur G2 de VEECO Fidji est un outil puissant pour la recherche et le développement de couches minces, offrant un contrôle inégalé sur le processus de dépôt et permettant la croissance de couches minces de haute qualité avec une homogénéité et une reproductibilité exceptionnelles. Ses capacités avancées et sa polyvalence en font un choix idéal pour les chercheurs travaillant dans les domaines des semi-conducteurs, de l'électronique et de l'optique, où un contrôle précis des propriétés des couches minces est essentiel pour atteindre les performances souhaitées du dispositif.
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