Occasion RIBER 401-1000 #293600163 à vendre en France

L'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est une méthode révolutionnaire pour la fabrication de matériaux semi-conducteurs de haute qualité. RIBER 401-1000 est un équipement d'épitaxie par faisceau moléculaire qui est utilisé pour la croissance de couches minces de haute qualité. Il peut être utilisé pour produire une variété de substrats composés d'épaisseur à l'échelle atomique. Pour ce faire, le système utilise un procédé faisant intervenir plusieurs sources et une chambre de croissance. Du côté de la source, quatre sources indépendantes distinctes - évaporateur de faisceau d'électrons, source organométallique solide, source métallique solide et craquage de gaz - sont disponibles. Toutes les sources sont contrôlées par une interface informatique puissante, offrant une gamme de possibilités pour le contrôle des matériaux et l'homogénéité des échantillons. Le faisceau d'électrons chauffés est utilisé pour l'évaporation des matériaux, tandis que les sources solides organométalliques et métalliques contiennent des réactifs et des dopants, qui peuvent être introduits dans la chambre de croissance, tandis que la source de craquage de gaz est adaptée aux matériaux nécessitant une séparation. La chambre de croissance est équipée d'un contrôle réglable de la température, de la pression et du débit, avec une option de traitement thermique in situ et plusieurs fonctionnalités pratiques, telles que le réchauffement rapide des conduites et le positionnement automatique des obturateurs. Ceci offre une gamme complète de possibilités de contrôle des matériaux et une grande homogénéité du substrat. L'unité contient également une chambre d'épuration des gaz d'échappement contrôlée par la température, qui garantit que seuls de très faibles niveaux d'impuretés sont présents dans la chambre de croissance, conduisant à la production de matériaux de haute qualité. Construit avec un cadre compact et de faibles vibrations, le 401-1000 est conçu pour la croissance de matériaux semi-conducteurs purs et dopés, et peut fournir une large gamme de substrats, des métaux aux alliages en passant par les substrats monocristallins. Cette machine est un excellent choix pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs avancés, offrant un contrôle supérieur sur les structures, les dopants et les densités de défauts produites lors de la fabrication du dispositif. Sa plate-forme à faible vibration garantit que les matériaux et les dispositifs de haute qualité peuvent être produits sans distorsion ou formation de défauts, tandis que son outil d'analyse spectrale et de détection en cours de processus permet une caractérisation et un suivi rapides du processus de production. C'est un excellent outil pour les applications de recherche et de production.