Occasion CVC 601 #28214 à vendre en France
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ID: 28214
Taille de la plaquette: Up to 8"
Style Vintage: 1986
Batch type production sputtering system, up to 8"
Currently setup for Argon and Oxygen with the possibility for Nitrogen
Computer and cryopump included
Works in manual mode
4 targets / wafer holders
Top loading machine
(Qty 4) work stations in the flat bottom of the 7" high work chamber
(Qty 2) DC stations
(Qty 1) RF station
(Qty 1) Ion cleaning station
Work heater / sintering accessory in the lid
Accessories for sputtering in several modes including DC Diode, RF Diode, DC Plasma Enriched Deposition ( PED, planar magnetron) and RF PED
Composed of a relay rack control center and cabinet which contains the vacuum chamber and pumping system
The computer interface is a Gould Model 484 Programmable controller
The DC Sputter Supply is an 10 KW Advanced Energy MDX Magnetron Drive
Unit has a CVC 3 KW AC Power Supply and a CVC 1 KW AC Supply
(Qty 4) Targets include:
Barium Titinate
Molybdenum Trioxide
Inconel
Titanium or Silicon
There are 4 target positions:
(Qty 1) RF Magnetron gun and matching unit
(Qty 2) DC Diode Sputtering unit with magnets in them for magnetron sputtering
The 4th target position has an Ion Cleaning Source
Project used only the RF PED Target position, DC targets were not used, in manual mode
Previous project used system with a P190/484 Programming panel
(Qty 2) Mass Flow Controllers
There is a cryo controller for N2-purge, and regeneration
Log book included
Packaged and stored
As-is
1986 vintage.
CVC 601 est un système de pulvérisation ultramoderne développé par Cambridge Vacuum pour diverses applications scientifiques. Il est composé d'une grande chambre à vide avec une anode et Cathode, qui peut être ajustée pour permettre l'insertion d'échantillons et la distance de travail. La cathode est en acier inoxydable, tandis que l'anode est construite en tungstène. La chambre de pulvérisation est enfermée dans une boîte à gants à travers laquelle de l'air est pompé pour créer un vide élevé. Un gaz tel que l'hélium, l'argon ou l'azote peut être utilisé pour remplir la chambre. Pour charger la cathode, elle est reliée à une alimentation haute tension. La tension peut être réglée à 3000V. 601 contient divers systèmes de contrôle, dont une unité de contrôle de processus (PCU), une unité de contrôle de puissance (PCU) et une unité de contrôle de refroidissement (CCU). Pour assurer le bon fonctionnement, il existe deux canaux de refroidissement de l'eau et des plaques de support en graphite de haute pureté. Pour plus de sécurité, CVC 601 dispose d'un capteur de jauge de vide pour surveiller les effets de la pulvérisation. Avant utilisation, 601 doivent être cuits à la température requise (habituellement 800 ° C pendant quelques heures) pour éliminer l'humidité et d'autres contaminants potentiels. Après cela, le système peut être activé et le processus démarré. Le processus de pulvérisation débute par la charge de la cathode à partir de l'alimentation. Cela crée un champ DC et les électrons sont accélérés à l'anode. Lorsque les électrons entrent en contact avec l'anode, ils sont absorbés et le matériau de la surface de l'anode est pulvérisé ; le matériau pulvérisé enrobe alors le matériau cible en formant différentes couches. Une fois le processus de pulvérisation terminé, le matériau restant peut être retiré de l'anode avec un racleur. CVC 601 est alors prêt pour un traitement ultérieur, tel que recuit, gravure et dépôt. Dans l'ensemble, 601 systèmes de pulvérisation est un outil précieux pour les scientifiques et les ingénieurs impliqués dans le traitement des couches minces. Ses systèmes de contrôle avancés garantissent la précision et la reproductibilité des résultats et la capacité de charger, de pulvériser et de recuit à haute température est inégalée. Sa conception flexible le rend également facile à développer et à développer, permettant une personnalisation optimale pour les applications individuelles.
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