Occasion KURT J. LESKER Ultra-high vacuum induction annealing tool #293818957 à vendre en France
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ID: 293818957
Taille de la plaquette: 8"
8"
Load lock
Gas inlets
Real-time controller (RTC)
PFEIFFER Turbomolecular pump, VAT
3-Position pneumatically actuated isolation gate valve
PFEIFFER Turbo pump
EDWARDS Roughing pump nXDS10
Dedicated turbo pump
Control arm
Automated heavy duty linear transfer arm (LRP)
Effector
Mock wafer holder
Ports and windows
UI Screens
AMBRELL Heating power source
(1) FUJIKIN FCST1000F Flow controller
(1) INFICON CDG025D Capacitance manometer.
KURT J. LESKER L'outil de recuit à induction sous vide ultra-haute est un équipement de pointe utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs pour un large éventail d'applications, y compris le dépôt de couches minces, le recuit et les procédés de modification des matériaux. Cet outil de pointe intègre des technologies de pointe pour fournir des performances et une fiabilité supérieures dans les environnements à ultra-haut vide (UHV). Au cœur du système se trouve la fonction de recuit par induction, qui permet un contrôle précis du processus de chauffage et de recuit des matériaux à ultra-haute dépression. Le chauffage par induction est une méthode très efficace qui utilise l'induction électromagnétique pour générer de la chaleur dans le matériau sans contact physique, ce qui entraîne un chauffage uniforme et une contrainte thermique minimale sur le substrat. Ceci permet un contrôle précis de la température et une reproductibilité essentielle pour les procédés de recuit dans la fabrication des semi-conducteurs. Les capacités de pulvérisation de l'outil KURT J. LESKER offrent une polyvalence exceptionnelle dans les processus de dépôt de couches minces. La pulvérisation est une technique de dépôt physique en phase vapeur (PVD) dans laquelle des atomes ou des molécules sont éjectés d'un matériau cible par bombardement d'ions énergétiques. Ces particules éjectées sont ensuite déposées sur un substrat, formant un film mince d'épaisseur et de composition contrôlées. L'unité est équipée de matériaux cibles multiples, permettant le dépôt de structures multicouches complexes et de compositions d'alliages. L'environnement UHV maintenu dans l'outil assure un processus propre et sans contamination en minimisant la présence de gaz réactifs et d'impuretés. Ceci est crucial pour obtenir des couches minces de haute qualité avec d'excellentes propriétés électriques, optiques et structurelles requises dans les dispositifs semi-conducteurs. Les conditions de vide ultra-élevé facilitent également l'adhérence et la densité du film, ce qui améliore la qualité et la fiabilité du film. De plus, la machine KURT J. LESKER dispose de fonctionnalités avancées d'automatisation et de contrôle qui améliorent l'efficacité et la reproductibilité des processus de dépôt de couches minces. L'outil est équipé de systèmes sophistiqués de surveillance et de rétroaction pour le contrôle des processus en temps réel, permettant un ajustement précis des paramètres de dépôt tels que la vitesse de dépôt, l'épaisseur du film et l'uniformité. Cela garantit une qualité et une épaisseur de film cohérentes entre les substrats et les lots, essentielles pour les applications de fabrication à haut volume. L'interface conviviale de l'outil permet aux opérateurs de programmer et de surveiller facilement les processus de dépôt, ce qui les rend adaptés aux environnements de recherche et de production. En outre, l'outil est conçu avec des caractéristiques de sécurité robustes pour assurer la protection de l'opérateur et prévenir les dommages à l'actif pendant l'exploitation. En conclusion, l'outil de recuit par induction sous vide ultra-haute est un modèle de pulvérisation ultramoderne qui offre des performances, une fiabilité et une polyvalence exceptionnelles pour une large gamme d'applications de semi-conducteurs. Avec ses fonctionnalités avancées, ses capacités de contrôle précises et son environnement UHV, cet outil fournit aux utilisateurs les outils dont ils ont besoin pour réaliser des films minces de haute qualité essentiels au développement de dispositifs semi-conducteurs de pointe.
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