Occasion MAGNETRON Sputtering #194493 à vendre en France

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ID: 194493
Taille de la plaquette: 4"-6"
Style Vintage: 2010
Sputtering system, 4"-6" In‐line 3‐target system Process variables can be monitored via ZR-RX40 (2) PSICM DC Sputter power supplies MKS 600 Series pressure controller NOVA series ST580 Digital temperature KODIVAC 340 Rotary pump Main system: (2) Chambers: Sample chamber Main chamber Chamber size: Main chamber: 3.5" x ~7" Sample chamber: 2.5" x 3.5" Control rack: 2" x 3" Roughing pump: 2" x 2" Sputter chamber: ~7" Wide and 1.5" height Carrier slider: 1" Length Al plate Gate valve chamber: 1.5" Length Sputter gun section: (3) Guns Lamp heater Sputter target size: 300 mm x 100 mm Installed target: ZnO, ZnO:Al, Empty Isolation gate valve: 1 for sample, 1 for vacuum Transport: Automatic motor driven Vacuum system: KODIVAC 1600K Rotary pump GENESIS ICP 250L Cryo pump Automatic vacuum / Process control with LED display Vacuum sensor / Control: ATOVAC GVC22005 Sputter system: Sputter power supply: ADVANCED ENERGY RF-10S: 1 KW 13.56 MHz (4) Gas flow controls: SEAHWA KRO-4000 KOFLOC 3665 SEC 7440 Substrate motion control: LED Panel display with speed controller Manuals included 2010 vintage.
MAGNETRON La pulvérisation par pulvérisation est un procédé physique de dépôt en phase vapeur (PVD) dans lequel un matériau cible est bombardé par des ions d'un gaz noble, ce qui détruit et vaporise le matériau cible. Cette vapeur se condensera alors sur la surface d'un substrat récepteur, c'est-à-dire la pièce. Ce procédé utilise un champ magnétique pour contrôler le faisceau d'ions, conduisant à des composés et des films avec une meilleure qualité et uniformité par rapport aux systèmes non-pulvérisateurs. Dans MAGNETRON Pulvérisation, une cible (en matériau à co-pulvériser) est placée au sommet de la chambre du système. La cible est montée sur une plaque cathodique à alimentation connectée à celle-ci. La chambre contient également une anode (généralement circulaire, mais d'autres formes sont également disponibles). Un aimant permanent monté à l'intérieur de la chambre entoure la cible et crée un gradient de champ magnétique élevé dans la direction radiale. Les ions d'un gaz noble, comme l'argon, sont produits par une source d'ions et se déplacent jusqu'à la cible. Lorsqu'un gaz noble est utilisé, l'énergie des ions sera suffisamment faible pour qu'ils n'endommagent pas le substrat. Ces ions sont ensuite accélérés vers la cible par l'anode. Lorsque le faisceau d'ions atteint la cible, les ions sont déviés à travers la radiale, en raison du fort champ magnétique de gradient. Les ions s'étendent et se répartissent de façon plus homogène sur la surface, d'où une épaisseur de revêtement plus uniforme. Le matériau cible est ensuite pulvérisé hors de la cible par les ions accélérés et est déposé sur le substrat, qui est typiquement placé sur le fond de la chambre. En compensant le substrat et la cible, on peut obtenir un angle d'incidence, ce qui conduit à un profil de dépôt plus souhaitable. Les avantages de la pulvérisation sont : - Taux de dépôt élevé et débit accru - Produits de haute qualité avec d'excellentes qualités de surface et d'adhérence - Épaisseur uniforme du revêtement - Disponibilité d'une large gamme de matériaux pour la pulvérisation MAGNETRON, allant des métaux, semi-conducteurs, céramique et même verres - Flexibilité dans le contrôle des composants réactifs dans le processus de pulvérisation par l'introduction de gaz réactifs tels que l'azote, l'oxygène et l'hydrogène Les inconvénients de la pulvérisation MAGNETRON sont : - Forte consommation de gaz due à la purge continue de la chambre - Faible efficacité d'utilisation des ions - Problèmes potentiels avec l'arc, car la tension doit être élevée pour accélérer les ions - Risque d'érosion de la cible, qui peut entraîner la dévitrification du film déposé - Chauffage de substrat, qui allie des ressources supplémentaires pour contrôler la température du procédé.
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