Occasion MAGNETRON Sputtering #194493 à vendre en France
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Vendu
ID: 194493
Taille de la plaquette: 4"-6"
Style Vintage: 2010
Sputtering system, 4"-6"
In‐line 3‐target system
Process variables can be monitored via ZR-RX40
(2) PSICM DC Sputter power supplies
MKS 600 Series pressure controller
NOVA series ST580 Digital temperature
KODIVAC 340 Rotary pump
Main system:
(2) Chambers:
Sample chamber
Main chamber
Chamber size:
Main chamber: 3.5" x ~7"
Sample chamber: 2.5" x 3.5"
Control rack: 2" x 3"
Roughing pump: 2" x 2"
Sputter chamber: ~7" Wide and 1.5" height
Carrier slider: 1" Length Al plate
Gate valve chamber: 1.5" Length
Sputter gun section: (3) Guns
Lamp heater
Sputter target size: 300 mm x 100 mm
Installed target: ZnO, ZnO:Al, Empty
Isolation gate valve: 1 for sample, 1 for vacuum
Transport: Automatic motor driven
Vacuum system:
KODIVAC 1600K Rotary pump
GENESIS ICP 250L Cryo pump
Automatic vacuum / Process control with LED display
Vacuum sensor / Control: ATOVAC GVC22005
Sputter system:
Sputter power supply:
ADVANCED ENERGY RF-10S: 1 KW 13.56 MHz
(4) Gas flow controls:
SEAHWA KRO-4000
KOFLOC 3665
SEC 7440
Substrate motion control:
LED Panel display with speed controller
Manuals included
2010 vintage.
MAGNETRON La pulvérisation par pulvérisation est un procédé physique de dépôt en phase vapeur (PVD) dans lequel un matériau cible est bombardé par des ions d'un gaz noble, ce qui détruit et vaporise le matériau cible. Cette vapeur se condensera alors sur la surface d'un substrat récepteur, c'est-à-dire la pièce. Ce procédé utilise un champ magnétique pour contrôler le faisceau d'ions, conduisant à des composés et des films avec une meilleure qualité et uniformité par rapport aux systèmes non-pulvérisateurs. Dans MAGNETRON Pulvérisation, une cible (en matériau à co-pulvériser) est placée au sommet de la chambre du système. La cible est montée sur une plaque cathodique à alimentation connectée à celle-ci. La chambre contient également une anode (généralement circulaire, mais d'autres formes sont également disponibles). Un aimant permanent monté à l'intérieur de la chambre entoure la cible et crée un gradient de champ magnétique élevé dans la direction radiale. Les ions d'un gaz noble, comme l'argon, sont produits par une source d'ions et se déplacent jusqu'à la cible. Lorsqu'un gaz noble est utilisé, l'énergie des ions sera suffisamment faible pour qu'ils n'endommagent pas le substrat. Ces ions sont ensuite accélérés vers la cible par l'anode. Lorsque le faisceau d'ions atteint la cible, les ions sont déviés à travers la radiale, en raison du fort champ magnétique de gradient. Les ions s'étendent et se répartissent de façon plus homogène sur la surface, d'où une épaisseur de revêtement plus uniforme. Le matériau cible est ensuite pulvérisé hors de la cible par les ions accélérés et est déposé sur le substrat, qui est typiquement placé sur le fond de la chambre. En compensant le substrat et la cible, on peut obtenir un angle d'incidence, ce qui conduit à un profil de dépôt plus souhaitable. Les avantages de la pulvérisation sont : - Taux de dépôt élevé et débit accru - Produits de haute qualité avec d'excellentes qualités de surface et d'adhérence - Épaisseur uniforme du revêtement - Disponibilité d'une large gamme de matériaux pour la pulvérisation MAGNETRON, allant des métaux, semi-conducteurs, céramique et même verres - Flexibilité dans le contrôle des composants réactifs dans le processus de pulvérisation par l'introduction de gaz réactifs tels que l'azote, l'oxygène et l'hydrogène Les inconvénients de la pulvérisation MAGNETRON sont : - Forte consommation de gaz due à la purge continue de la chambre - Faible efficacité d'utilisation des ions - Problèmes potentiels avec l'arc, car la tension doit être élevée pour accélérer les ions - Risque d'érosion de la cible, qui peut entraîner la dévitrification du film déposé - Chauffage de substrat, qui allie des ressources supplémentaires pour contrôler la température du procédé.
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