Occasion MRC 822 #9039130 à vendre en France
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ID: 9039130
Sputterspheres
With load lock
Includes:
(3) Diode targets, 8"
Spherical chamber, 19"
Sputters up to (3) materials without breaking the vacuum
CTI 8 Cryo pump with SC compressor
LEYBOLD D-60 Mechanical pump
ENI OEM-6 RF Generator, 1.25 kW
Sputter etch
GP-280 IG controller
VARIAN TC controller
Load locked system
Pallet, 8"
Complete set of manuals
Eye-level control console:
Forward and reflected power meters
Two peak-to-peak meters
Remote power control
Multi-range sputter timer
Sputter button
Pirani gauge
Modes of operation:
Diode deposition: RF Diode, RF Bias
Magnetron deposition: DC and RF
Reactive sputtering
Sputter etching
RF System:
Voltage stabilization
RF Matching network
Auto tuning
Vacuum
Dual loadlock: two pallet mode, three pallet mode
Semi-automatic operation speeds
DC Magnetron power supply: Model: S3016
80-100 psi air, 60-90 psi water, 3 GPM
208 V, 50 Amp, 50/60 Hz, 3 Phase.
MRC 822 est un équipement de pulvérisation par faisceau d'ions à haute énergie utilisant une source d'ions à haut courant pour le traitement des matériaux. Cette technologie avancée de pulvérisation est utilisée pour déposer des films minces sur une variété de substrats. Le système 822 est une machine pilotée par ordinateur avec une interface de contrôle conviviale qui permet de contrôler le processus et de surveiller les paramètres des pulvérisateurs. L'unité MRC 822 utilise à la fois une chambre à vide et une source de faisceau d'ions pour traiter le substrat. La chambre à vide est composée d'acier inoxydable et est conçue pour maintenir un niveau de vide bas, typiquement de l'ordre de 10-5 à 10-6 Torr. A l'intérieur de la chambre, une machine à vide interne est également utilisée pour maintenir la cible à une pression stable. Une cage Faraday entoure la cible, assurant l'isolation électrique et le blindage des composants de l'outil. La source de faisceau d'ions est constituée d'un accélérateur linéaire de forte puissance, ce qui permet un haut niveau de contrôle pour contrôler des paramètres de rotation tels que l'énergie du faisceau et la taille des particules. L'accélérateur génère des énergies de particules de l'ordre de 100 à 200 keV et des tailles de particules allant de 1 à 10 nm. Les sources de faisceau d'ions peuvent accueillir un canon à électrons, ce qui permet une large gamme de formes de faisceau possibles. De plus, la source d'ions peut être utilisée pour des applications de gravure, permettant une gravure sélective de cibles spécifiques. La figure 822 présente également une caractéristique de polarisation in situ du substrat qui permet le dépôt de films sur des substrats non conducteurs. Cette fonctionnalité est idéale pour les films nécessitant une profondeur de pénétration ou de couche de matériau, tels que MEMS et d'autres applications de revêtement de film mince. L'actif est capable de dépôt de films ultra-fins, avec des résolutions aussi faibles que 2-3 nm réalisables avec le processus de dépôt d'ions basse énergie. Dans l'ensemble, le MRC 822 est un modèle puissant et polyvalent de pulvérisation ionique à haute énergie. L'interface conviviale contrôlée par ordinateur permet d'introduire facilement des paramètres précis et fiables de traitement des pulvérisateurs. Le contrôle et la surveillance étape par étape du procédé permettent des applications précises de dépôt de film et de gravure sur presque n'importe quel substrat. La combinaison de l'accélérateur linéaire de grande puissance et du canon à électrons permet à l'utilisateur de déposer des films avec des résolutions aussi faibles que 2-3 nm.
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