Occasion RPT RTA-381A #9397130 à vendre en France

RPT RTA-381A Sputtering Equipment est un système de pulvérisation ultra-basse pression de haute précision conçu pour déposer uniformément et uniformément des couches minces sur des substrats semi-conducteurs. L'unité est composée d'une alimentation RF, d'une chambre, de cibles de pulvérisation et de composants de distribution de gaz, conçus pour être utilisés dans une gamme d'applications scientifiques et industrielles. L'alimentation RF est un générateur RF externe régulé par étapes hautement programmable avec commande numérique pour une modulation de largeur d'impulsion précise. Il est capable de générer jusqu'à 400 watts de puissance RF à 13,56 MHz, selon la configuration du vide. Ceci est capable de déposer des films à une épaisseur précise, à +/ − 2 % près. La chambre de pulvérisation est construite en acier inoxydable, conçu avec une capacité à ultra-haut vide (UHV) pour maintenir des niveaux de vide complets lors de la pulvérisation. Il a une conception optimisée pour assurer un dépôt uniforme des films, avec des systèmes de pompes à vide très efficaces qui évitent les dégazages. Les cibles de pulvérisation sont composées de métaux purs ou d'alliages pour assurer des matériaux de dépôt précis. Une large gamme de cibles de pulvérisation sont disponibles pour répondre aux exigences pour des films spécifiques, y compris des cibles de gravure de pulvérisation pour isoler le transfert de couche. Les composants de distribution de gaz de la machine comprennent une vanne de vide pneumatique haute performance, un mélangeur de gaz et un régulateur de débit de masse numérique (MFC). Le MFC est très informatif et précis, et conçu pour surveiller les flux précis de gaz et réduire les possibilités de dépassement de gaz. RTA-381A offre des dépôts de couches minces précis, fiables et hautement reproductibles pour des applications scientifiques et industrielles. Il est capable de fabriquer différents types de couches discrètes ultra minces et hautes, d'épaisseur uniforme, dans des tolérances serrées, avec un outil de contrôle de procédé optimisé offrant stabilité et répétabilité. L'atout est idéal pour produire des couches minces de métaux, encore une fois, des alliages, et des matériaux diélectriques pour une gamme de dispositifs semi-conducteurs.