Occasion ULVAC SIH-4545 #9055116 à vendre en France

ULVAC SIH-4545 est un équipement de pulvérisation utilisé pour le dépôt de couches minces à partir d'un large éventail de cibles. Le système est composé d'une chambre à vide ultra-haute, d'un élément chauffant pour le substrat, d'une puissante alimentation RF et d'un pistolet cathodique. A l'aide d'un gaz accéléré tel que Ar, Ar/O2 ou Ar/N2, le pistolet pulvérisateur délivre un faisceau d'ions de grande puissance sur la cible, provoquant la pulvérisation, ou la libération d'atomes, sur la cible. Ce bombardement d'ions assure un dépôt uniforme du matériau cible sur le substrat. La chambre à vide ultra-élevé (UHV) est conçue pour fournir un niveau de pression de base compris entre 1 0,0x10-10 Pa et 10-3 Pa. Elle est composée d'une pompe à rugissement à deux étages reliée à une vanne de grille et une unité de pompage turbomoléculaire. La pompe à rugissement à vitesse HI fournit un niveau de vide profond de l'ordre de 75 à 110 Pa tandis que la pompe moléculaire Turbo fournit un vide plus élevé de l'ordre de quelques mPa. Ceci, combiné avec les joints métalliques de la chambre et l'opération de cuisson, permet un environnement de traitement très propre. L'élément chauffant, typiquement une lampe IR de forte puissance, assure un contrôle précis de la température du substrat lors du traitement, permettant des résultats cohérents et reproductibles. L'alimentation par radiofréquence (RF) en SIH-4545 fournit une puissance fiable et stable tout au long du processus de pulvérisation. Le niveau de puissance RF stable, combiné à la vitesse de traitement rapide, rend la machine de pulvérisation idéale pour de grandes surfaces complexes de substrat. Le pistolet à pulvérisation ULVAC SIH-4545 fournit une source d'ions réglable. Il est conçu pour générer des ions impairs à courte portée de grande puissance, permettant ainsi un dépôt de revêtement rapide et uniforme sur la surface du substrat. Le pistolet pulvérisateur est réglable pour le diamètre du plasma ionique produit, permettant un contrôle précis de l'épaisseur de revêtement appliquée. La source d'ions peut être configurée pour un fonctionnement continu ou RF, avec l'option DC adaptée aux substrats de faible sensibilité tels que le verre, et l'option RF pour les substrats plus sensibles tels que les plaquettes de silicium. SIH-4545 fournit un outil de pulvérisation thermique précis, répétable et flexible pour la réalisation de couches minces sur une gamme de matériaux. La source d'ions réglable, combinée à l'élément chauffant précis du substrat et à la chambre à ultra-haut vide, fournit un environnement de traitement contrôlé et propre qui permet un dépôt répétable et uniforme du matériau cible sur la surface du substrat.