Occasion ULVAC ULDIS-900-CHL #9392461 à vendre en France

ULVAC ULDIS-900-CHL est un équipement de dépôt de pulvérisateurs conçu pour la création de structures en couches minces. Ce système est un ensemble compact avec une faible empreinte pour le dépôt de matériaux métalliques, diélectriques et/ou magnétiques. Avec une unité polyvalente de dosage et de pompage ionique, ULDIS-900-CHL permet un dépôt par pulvérisation homogène de matériaux d'épaisseurs aussi minces que celles requises pour les dispositifs semi-conducteurs. ULVAC ULDIS-900-CHL est alimenté par une source de pulvérisation magnétron 900-W DC qui peut être étroitement contrôlée jusqu'au niveau milliamp. Cela permet un contrôle précis du processus de pulvérisation et permet à l'utilisateur d'affiner la quantité de matière déposée sur la surface cible. La source comprend également une chambre à vide qui peut être évacuée à une pression aussi faible que 15,3 mTorr. ULDIS-900-CHL utilise plusieurs caractéristiques pour le dépôt optimisé. Un plénum de gaz à haute fréquence variable permet un contrôle précis de la profondeur de bombardement ionique du matériau de dépôt. Un contrôle rapide des sources permet aux utilisateurs d'obtenir des transitions quantitatives rapides de composition au sein d'une même couche de revêtement. Pendant ce temps, l'inclusion d'un piège à oxyde et d'un enrobeur actif contribue au dépôt uniforme d'oxyde. De plus, la chambre dispose d'une machine de contrôle de température pour des épaisseurs comprises entre 0,1 et 200 nm. Le détenteur de l'échantillon d'ULVAC ULDIS-900-CHL est à 6 pouces. table tournante mono-axe pouvant transporter jusqu'à 2 substrats. Le support est chauffé à des températures allant jusqu'à 100 ° C pour le dépôt accru de matériaux mous. Un outil de distribution de gaz à quatre voies complète la séquence de dépôt des échantillons et permet la préparation d'échantillons avec des structures simples, complexes et hautement spécialisées. ULDIS-900-CHL est un puissant atout de pulvérisation pour créer des structures de films minces. En permettant un contrôle précis de la vitesse de dépôt et de la profondeur de bombardement ionique, ce modèle permet le dépôt efficace et précis de matériaux métalliques et diélectriques. Avec un plénum de gaz à haute fréquence variable, un contrôle rapide de la source, un piège à oxyde, un enrobeur actif et un équipement de surveillance de la température, ce système offre une grande polyvalence et précision.