Occasion VACUUM SYSTEMS TECHNOLOGY / VST TFSP-840 #293602592 à vendre en France
URL copiée avec succès !
Appuyez sur pour zoomer
ID: 293602592
Sputtering system
Ultimate vacuum pressure: 3x10^-7 Torr
Base pressure: 1x10^5 Torr
Pirani gauge, 100 to 1x10^-5 Torr
Maximum allowable leak rate: <1x10^-9 mbar L/sec (Helium)
Vacuum pumping system
PLC Controlled power switching boxes
DC Blocked filters
Substrate holder
PLC / PC Computer control
Targets:
Titanium Tungsten: (Ti) 10 (W) 90 %
Copper (Cu)
Silicon Nitride (Si3N4)
Sputtering mode:
DC / DC Pulsed
RF
Combination of RF and DC
Chamber:
High grade stainless steel, water cooled, SS 304L
3-Ports
RF Shielded view port, 4"
Pumping port
Load lock chamber:
Loading sample holder, Up to 6"
EDWARDS nXDS10 Dry pump:
Pressure: 8x10^-3 Torr
Nominal pumping speed: 10 m³/hrs
EDWARDS EXT75iDX Turbo molecular pump:
Pumping speed: 61 L/sec
Compression ratio N2: >1x10^11
Ultimate pressure: 5x10^-8 mbar
Nominal rotational speed: 90,000 rpm
Air cooling
Sputtering sources:
Source dimension: MAK, 4"
Mounting feedthrough: Quick coupler, 0.75"
Target specifications:
Target diameter: 4"
Target mounting: Magnetic
Magnetic materials
Magnet design:
Type: Nd/Fe B
Configuration: Balanced/Unbalanced
Operation specifications:
DC Max power: 3000W
RF Max power: 1200W
Cathode voltage (Volts): 200-1000V
Discharge current (Max amps): 7 amp
Cooling water:
Flow rate 1.0 gpm
Vacuum interlock
High voltage switch
Chamber switch
Load-lock switch
Dry air pressure switch
Water flow switches
Substrate temperature
Emergency stop
Electrical overload protection
Gas line:
Gas / MFC
Ar / 1-100 SCCM
N2 / 1-50 SCCM
O2 / 1 – 50 SCCM
Maximum beam current:
25 to 35% of discharge current
280mA (Ar @ 1A)
350mA (O2 @ 1A)
Beam energy (Mean): 50 to 180eV (~60% of Anode voltage set point)
Max discharge power: 300W (200W Continuous)
Discharge voltage range:
Ar: 50 to 300V
O2: 100 to 300V
Discharge current range: 0.2 to 1A (Mark I + Ion Source Controller)
Max operating pressure: 1 x 10^-3 Torr (0.13Pa)
Gas use: Inert Gases, O2, N2 and other reactive gases
Typical gas flow range: 2-20sccm
Ion beam neutralization: Filament cathode
Ion beam size (at opening): 1.1 in (28mm) Diameter
MFC 20 sccm
Power supply:
RF Power supply: 13.56 MHz, 600 W
DC Power supply: 1500 W.
TECHNOLOGIE DES SYSTÈMES À VIDE/VST TFSP-840 est un équipement de pulvérisation polyvalent qui offre des performances de pulvérisation robustes et cohérentes. Le système est équipé de plusieurs configurations de chambre et peut accueillir une variété d'outils et d'accessoires. L'unité est capable de traiter à la fois des substrats minces et flexibles, permettant un dépôt fiable et répétable sur une variété de matériaux. VST TFSP-840 utilise une conception de deux chambres de pointe avec une chambre de chargement isolée et une chambre de procédé séparée. La chambre de chargement est conçue pour réduire la contamination des particules et permettre un chargement rapide et facile des échantillons. Chaque chambre est équipée d'une pompe à rugosité de 2 pouces pour créer un environnement stable et à basse pression et assurer un fonctionnement efficace. La chambre de chargement utilise une porte de serrure pour minimiser les contaminants atmosphériques et assurer le bon fonctionnement. Dans la chambre de procédés, VACUUM SYSTEMS TECHNOLOGY TFSP-840 est équipé de huit cathodes et d'un mécanisme de rotation du substrat alimenté. Chaque cathode peut ajuster indépendamment les réglages de puissance et les cibles de pulvérisation. Le mécanisme de rotation du substrat performant assure un dépôt régulier et même régulier sur l'ensemble du substrat. Le pistolet pulvérisateur monté sur le dessus permet à la machine d'être facilement conteneurisée pour le traitement in situ d'échantillons de grande surface. Le TSFSP-840 est équipé d'une gamme d'accessoires, y compris des porte-substrats réaménagés, chauffage externe du substrat, outil de transport de rouleaux, bras de levage/accès direct embarqué et serrure de sécurité qui assure un fonctionnement sûr et ininterrompu. Les caractéristiques ajoutées font du TSFSP-840 un candidat idéal pour les applications industrielles. Grâce à ses nombreuses caractéristiques, le TFSFP-840 fournit des résultats cohérents et reproductibles, assurant un dépôt fiable en couches minces sur une variété de substrats. L'actif offre un contrôle précis des processus et des performances répétables de manière fiable, ce qui le rend bien adapté aux applications à haut débit. De plus, l'interface tactile conviviale du modèle permet un fonctionnement simple et pratique.
Il n'y a pas encore de critiques