Occasion LANDIS 3SE #293827529 à vendre en France

ID: 293827529
Style Vintage: 2002
Grinding machine Engine speed: 1200 RPM Job head turnover: 333 RPM Maximum stone age: 8500 RPM Worn stone diameter: 558 mm Shaft pulley diameter: 165 mm Motor pulley diameter: 178.6 mm Stone diameter: 762 mm Diameter: 355 mm Power supply: 400 V, 50 Hz 2002 vintage.
LANDIS 3SE est un équipement de broyage, de nappage et de polissage de plaquettes de pointe conçu pour des applications de fabrication de semi-conducteurs. Ce système de pointe intègre des caractéristiques et des technologies innovantes pour fournir un traitement des plaquettes de haute précision et uniforme, essentiel pour la production de dispositifs semi-conducteurs de haute qualité. La fonction principale de l'unité 3SE est de broyer, napper et polir les plaquettes semi-conductrices pour obtenir une planéité optimale, une uniformité d'épaisseur et une qualité de surface. Ce procédé est essentiel dans la production de semi-conducteurs car il influe directement sur les performances et la fiabilité des circuits intégrés fabriqués sur les plaquettes. Une des caractéristiques clés de la machine LANDIS 3SE est sa capacité de broyage de haute précision. L'outil utilise des meules avancées et des mécanismes de meulage pour enlever le matériau de la surface de la plaquette avec une précision et un contrôle exceptionnels. Ce procédé de broyage précis est essentiel pour obtenir l'épaisseur et la planéité des plaquettes souhaitées pour la fabrication des semi-conducteurs. En plus du broyage, 3SE asset offre également des capacités de rodage et de polissage. Le rodage consiste à utiliser des boues abrasives pour lisser davantage la surface de la plaquette et améliorer sa planéité, tandis que le polissage utilise des tampons de polissage et des produits chimiques pour obtenir une finition semblable à un miroir. En combinant le broyage, le rodage et le polissage en un seul modèle, LANDIS 3SE fournit une solution complète pour atteindre la qualité de surface et les caractéristiques souhaitées sur les plaquettes semi-conductrices. L'équipement est équipé d'une gamme de capteurs avancés et d'outils de surveillance pour assurer le contrôle et la rétroaction des processus en temps réel. Ces capteurs permettent aux opérateurs de surveiller des paramètres clés tels que l'épaisseur des plaquettes, la planéité et la rugosité de surface pendant les processus de broyage, de nappage et de polissage. En surveillant en permanence ces paramètres, le système peut effectuer des réglages automatiques pour optimiser les conditions de traitement et garantir une qualité constante des plaquettes. Un autre avantage clé de 3SE unité est sa polyvalence et sa flexibilité. La machine peut accueillir une large gamme de tailles de plaquettes, de matériaux et de spécifications, ce qui la rend adaptée à diverses applications de fabrication de semi-conducteurs. Que ce soit le traitement du silicium, de l'arséniure de gallium ou d'autres matériaux semi-conducteurs, l'outil peut être personnalisé pour répondre aux exigences spécifiques de l'application. En outre, l'actif est conçu en tenant compte de la productivité et du débit. LANDIS 3SE dispose de capacités de traitement à grande vitesse, permettant des opérations de broyage, de rodage et de polissage de plaquettes efficaces. Ce débit élevé est essentiel pour les fabricants de semi-conducteurs qui cherchent à maximiser l'efficacité de production et à réduire les temps de cycle. Globalement, 3SE modèle de broyage, de nappage et de polissage de plaquettes représente une solution de pointe pour la fabrication de semi-conducteurs. Grâce à ses capacités avancées, au traitement de précision et aux contrôles automatisés, l'équipement permet aux fabricants de semi-conducteurs d'obtenir les plaquettes de haute qualité nécessaires à la réalisation de circuits intégrés avancés. En investissant dans le système LANDIS 3SE, les fabricants de semi-conducteurs peuvent améliorer leurs capacités de production, améliorer la qualité des plaquettes et, en fin de compte, acquérir un avantage concurrentiel dans l'industrie des semi-conducteurs.
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