Occasion STS / CPX Multiplex ICP #293603805 à vendre en France
URL copiée avec succès !
Appuyez sur pour zoomer
ID: 293603805
Taille de la plaquette: 6"
Deep Reactive Ion Etcher (DRIE), 6"
Type: Non-MESC
Anisotropic etch
Vacuum
Plasma
Materials: Silicon, SiNx
Gases: C4H8, SF6, O2
Photoresist masks
Etch rates: 1-2 µm/min
Mounted on 6" carrier wafer
Load lock
Manual.
STS/CPX Multiplex ICP (Inductive Coupled Plasma) est un équipement de graveur/asher destiné à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et à d'autres applications. Ce système etcher/asher utilise une source de plasma inductif couplé, ou ICP, pour délivrer une dose précise de gaz réactif à une plaquette pour gravure ou cueillette. La source ICP utilise la puissance d'entrée multifréquence pour générer un champ électromagnétique via (typiquement) deux bus de puissance, une bobine génératrice et l'électrode de mandrin. La source du PCI utilise plusieurs procédés pour déposer et retirer le matériel de la plaquette. Le premier procédé est l'induction de la puissance alternative haute fréquence de la bobine du générateur pour induire des courants dans le mandrin, ce procédé est critique pour la gravure/cueillette car il crée des gradients de température et de pression localisés à travers la plaquette qui initient les processus de gravure et de dépôt gazeux désirés. À des niveaux de puissance élevés, la source du PIC utilise également un deuxième procédé pour produire un plasma à effet Hall. Dans ce processus, la source du PIC utilise une combinaison d'entrées de courant alternatif et de courant continu pour créer un plasma électrique à haute densité. Le plasma est formé par des électrons accélérés par une différence de potentiel créée par la puissance continue, la puissance alternative fournissant un niveau de contrôle supplémentaire sur le processus de gravure ou de cueillette. Le PIC réagit avec le gaz réactif, soit en gravant, soit en aspirant comme souhaité. L'étape ETCH/ASH du procédé est entièrement contrôlée par un logiciel indépendant, permettant un contrôle précis de l'ionisation, du temps d'ionisation et de l'énergie totale, entre autres paramètres. Dans le processus de gravure/ashing, le PIC interagit avec les espèces chimiques présentes dans le gaz réactif pour créer un champ de plasma. Ce champ plasmatique, lorsqu'il est introduit dans la plaquette, aide à graver ou à cendrer, selon le procédé souhaité, le matériau de la surface de la plaquette. La réaction est similaire à un processus de pulvérisation, le PIC jouant le rôle de source de pulvérisation. Outre la gravure/cueillette, le PCI multiplex STS convient également à un certain nombre de procédés, notamment le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), l'implantation ionique, le dépôt en micromasse et la gravure assistée par la chaleur. L'unité graveur-asher est capable de manipuler un certain nombre de substrats dont le silicium, le germanium et le silicium sur isolant. CPX Multiplex ICP est utilisé dans une grande variété d'applications allant de la production d'affichage à la fabrication d'appareils MEMS. La flexibilité de la machine, ainsi que son design robuste en font un excellent choix pour de nombreux processus de gravure/cueillette.
Il n'y a pas encore de critiques