Occasion STS / CPX Multiplex ICP #9196059 à vendre en France
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ID: 9196059
Style Vintage: 2000
DRIE Etcher
Type of load lock: Single wafer load lock
Process modules: Module 1
Module type: ASE
Process type: Polymers
Wafer handling: Direct
WTC/ ESC: WTC
Material: Silicon
Size: 100 mm
Thickness: Standard
Clamped
Pin lift
Control system / User interface:
Operating system: Windows 2000
Standard control system
Standalone VDU
Keyboard / Mouse
Vacuum load lock with single wafer loader
ICP SC160M Process chamber (MESC)
ICP 240BF Source
RF Supply / Matching unit:
ICP Source: 1 KW (13.56 MHz)
Lower electrode: 300/30 W (13.56 MHz)
Electrode temperature control (+5ºC to +40ºC)
Balun coil ICP design
Gas box and gas lines:
Gas box type: Onboard
Gas lines:
Gas MFC Size Normalized Seal Gas type
Name (sccm) (Yes/No) type (Process/Clean)
C4F8 200 Yes Viton Clean
SF6 300 Yes Viton Clean
O2 100 No Viton Clean
Ar 50 No Viton Clean/Process
CHF3 100 No Viton Clean/Process
CF4 100 No Viton Clean/Process
CO2 100 No Viton Clean/Process
Chillers and cooling circuit:
Lower electrode chiller: Affinity RWA-012
Pumps and pumping lines:
Turbo pump: LEYBOLD MAG900
Chamber backing pump: EDWARDS iH80 (M)
Load lock pump: VARIAN TS600
Power and electronics:
System voltage supply: 208 V, 60 Hz
2000 vintage.
STS/CPX Multiplex ICP est un type d'équipement de gravure et d'ashing utilisé pour produire une grande variété de motifs complexes sur des substrats tels que le silicium, le polyimide et le quartz. Le système combine la gravure par faisceau d'ions et les techniques de gravure/cueillette assistée par des produits chimiques pour fournir des taux de production élevés, un meilleur contrôle des processus et des produits reproductibles. STS Multiplex ICP est équipé d'une source de plasma à haute énergie (HEPS) et d'une unité de positionnement de substrat avancée pour le contrôle de mouvement complet du substrat. La machine est capable de traiter des substrats jusqu'à 4 pouces et 6 pouces (200mm x 150 mm) et dispose d'une fenêtre de processus jusqu'à 12 ″ avec des couches haute et basse diélectriques. Il a une haute résolution jusqu'à 100nm, ce qui lui permet de fournir des largeurs de ligne plus fines, des vias clairs, et une meilleure ombrage que les processus traditionnels de gravure/cueillette. Un outil intégré de distribution de gaz permet une gravure et un cendrage précis avec l'ajout de plusieurs gaz, dont l'azote, le chlore et le fluor. CPX Multiplex ICP dispose d'une faible consommation électrique pour améliorer la sécurité de fonctionnement et les coûts. Cet actif utilise également un modèle de filtration avancé pour éviter que des fumées et des particules dangereuses ne se répandent dans l'environnement de production. En tirant parti de la capacité améliorée de contrôle des processus et de mouvement du substrat, cet équipement de gravure/cueillette permet des débits plus élevés et des résultats de processus plus cohérents. Avec sa source de plasma à haute énergie, Multiplex ICP est également en mesure de traiter une variété de types de matériaux dont le silicium, le polyimide et le quartz. En outre, il peut également traiter des couches extrêmement épaisses jusqu'à 100 µm. Le PCI multiplex STS/CPX a encore amélioré les performances de gravure/cueillette en ajoutant une séquence de processus propriétaire qui comprend diverses étapes, du lavage (qui élimine les particules de la surface) à la gravure (qui est utilisée pour créer des motifs dans le matériau) et le cueillage (qui est utilisé pour éliminer le matériau en excès). Il dispose également d'un système de polarisation réglable pour améliorer le réglage des processus et des résultats précis. Dans l'ensemble, STS Multiplex ICP est une unité de gravure et de cueillette avancée adaptée aux opérations de production et de recherche. Il comprend un meilleur contrôle des processus et des débits améliorés, une haute résolution pour une meilleure ombrage et une faible consommation électrique pour une meilleure sécurité, et une séquence de processus propriétaire pour assurer des résultats reproductibles.
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