Occasion YES / GLEN R3 #9251749 à vendre en France
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ID: 9251749
Style Vintage: 1994
Plasma cleaner
Low frequency
Mass Flow Controller (MFC)
N2 Flow rate: 1.7 SCFM
Process gas flow rate: 20-50 SCCM
Chamber material: 6061-T6 Aluminum
RF Plasma power: 0 - 500 W at 550 VAC
Nitrogen consumption: 0 SCFM idle, 1.7 SCF
Reactant gas consumption: 0 SCFM Idle, 150 SCC
KF 40 Vacuum plumbing
Clean room capability: Class 10
Compliance: SEMI S2
Touch screen interface
Analog MFC control and monitoring
Thermocouple monitoring for etch uniformity
Safety factors: Integral RF and pressure interlocks
TCP/IP Port
Self-diagnostic program
Constant real-time display
Audible and visual cycle complete indicators
Audible and visual indication of incorrect process with diagnostics display
Vacuum sensor: 0-1000 Torr
With (2) trip points
Load capacity:
Up to 4 active plasma areas: 15.13" x 15.39"
Operational modes:
RIE
Downstream electron-free
Active ion trap
Grounded ion trap
Measurements:
Interior chamber dimensions: 450 x 450 x 300 mm
Chamber process area: 931 in² or 233 in²
Power supply: 230 V, 20 Amps, 50/60 Hz, Single phase
1994 vintage.
OUI/GLEN R3 est un graveur/asher créé pour améliorer l'efficacité du silicium par gravure et mesure du rapport d'aspect. Il est conçu avec la capacité de traiter 15mm x 15mm, et jusqu'à 8 pouces de plaquettes. L'équipement est équipé d'une matrice de filage de précision (PSTD) et d'un système d'éjection de précision automatisé. Ce processus à double source permet d'accroître la capacité et la variabilité des processus. L'enceinte fermée à vide de 4 "maintient la répétabilité du procédé et est couplée à l'unité traditionnelle Multi-Boron Implant Plus (MBI +) pour fournir la livraison de l'échantillon et effectuer la gravure. Le PDT offre à la fois des capacités de mesure à champ plat et multi-points à l'aide de sa tête de balayage automatisée. Il utilise un port d'accès unique à bord de couteau en acier inoxydable et des mâchoires personnalisées pour fournir une très faible distorsion et précision. Le PSTD est également optimisé pour la gravure d'isolement et la mesure du rapport d'aspect. Il dispose d'une double machine de régulation de la température des plaquettes, d'une distribution de gaz et d'une commande de remontée de gaz. Cela est complété par un contrôle avancé des procédés et un logiciel de surveillance et de manipulation des paramètres de gravure, ce qui permet une reproductibilité élevée des procédés, des résidus reproductibles et des mesures du rapport d'aspect. OUI R 3 présente également une combinaison de techniques de mesure des gravures non destructives et destructives. Les fonctions de profilage à champ plat (DSFP) et de profilage multi-points (MPP) sont fournies, complétées par une large gamme de taux de gravure variables et des temps de lavage minimaux. Les mesures DSFP et MPP sont extrêmement répétables, fournissant des informations de processus rapides et fiables pour aider les efforts d'optimisation et de dépannage. Cet etcher/asher est un outil robuste et fiable, conçu avec des paramètres de processus améliorés pour un débit de processus élevé et une stabilité de flux améliorée pour une productivité accrue.
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