Occasion DMC SA/4m #143323 à vendre en France
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ID: 143323
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 2006
Wafer-level Electro Plating system, 8"
Used for Stamper and micro pattern electro-plating
Can be implement as high uniformity
Using cathode head rotating system can produce high-quality products
This equipment can be applied to MEMS type and performed on the trench fill electroplating
Process automation can be set with Independent program for each cell
Various plating condition can be set with Independent program for each cell
DC, pulse, pulse- reverse current can be supplied in the resolution ±1 mA
Ni, Ni-CO, Cu Electroplating can be performed with this equipment
Total solution volume: 500 liters
Features:
Small Footprint
Independent Pump/Filtration for each cell
Patented adjustable cathode head and workholder for precise control of thickness variation
Front access for maintenance
Integrated all-in-one design, integrated sump & electronics
Enclosed work area for process control
Industrial PC control with large flat panel touch-screen display
Switch mode rectifiers
Easy operator interface
All digital Control system
(Qty 3) Cells:
Pump: 1 HP
Heater: 6 kW
Rectifier: Standard 65 Amps, 24VDC
Filtration: 2 Stage
Pre-filter: 5 micron DOE, 20"
Final-filter: 0.45 micron DOE, 20"
Flow: 50 liter max (Adjustable)
2006 vintage.
DMC SA/4m est un équipement de photorésistance fabriqué par DuPont MicroCircuit Materials. Ce système utilise une couche polymérique photosensible sur une base organique et est couramment utilisé dans la production de substrats de cuivre et d'aluminium trouvés dans les cartes de circuits électriques et autres applications électroniques. L'unité photorésist DMC SA/4m est composée d'un film organique enrobé sur un substrat polyester souple. Cette couche de base assure rigidité et protection de la couche polymérique photosensible sur le dessus. La couche polymérique comprend des résines, telles que le polyimide, le polyméthylmétacrylate, le polyacrylate, le polycarbonate et le polystyrène, qui peuvent toutes être enrobées sur la couche de base selon différentes épaisseurs pour recevoir différentes configurations de substrat. La photorésist est activée par une lumière qui provoque une réaction photochimique dans laquelle certaines zones sont exposées tandis que d'autres sont protégées. Les zones protégées restent sous leur forme originale tandis que les zones exposées subissent un changement chimique pour devenir soit solubles, soit insolubles selon la composition de la couche polymérique. Les polymères solubles sont gravés dans le procédé de lavage, puis les zones insolubles restantes sont broyées chimiquement. Ce procédé élimine le matériau indésirable et crée les formes désirées pour le produit. La photorésistance DMC SA/4m est généralement appliquée dans un procédé de laminage par voie humide impliquant une épaisseur de film uniforme suivie d'un séchage approfondi et d'un prétraitement chimique. Une fois le film appliqué, il peut être exposé à l'aide d'une source lumineuse et développé, avant gravure chimique. Après le processus de développement, le contrôle de la qualité peut être effectué pour s'assurer que la configuration souhaitée a été atteinte. Ce processus comprend l'examen du motif du film par microscopie optique ou par rayons X, ainsi que des essais secondaires pour mesurer l'exactitude et l'intégrité du processus de développement. En conclusion, DMC SA/4m photoresist outil est un actif avancé qui est utilisé dans la fabrication de circuits et d'autres produits électroniques. Sa capacité à exposer et développer avec précision des films photorésistants fournit la précision de conception nécessaire pour créer des produits de qualité. Le modèle est composé d'une couche de base souple, d'une couche polymérique photosensible et d'un procédé photolithographique impliquant divers prétraitements et procédés incluant l'exposition à la lumière, le développement et la gravure chimique. Des processus de contrôle de la qualité sont utilisés pour vérifier que le film décrit répond aux spécifications tout au long du processus.
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