Occasion DNS / DAINIPPON 80A #9162939 à vendre en France

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DNS / DAINIPPON 80A
Vendu
Fabricant
DNS / DAINIPPON
Modèle
80A
ID: 9162939
Taille de la plaquette: 6"
Style Vintage: 1998
Coater system, 6" 1998 vintage.
DNS/DAINIPPON 80A est un équipement de haute qualité conçu pour la production de composants électroniques dans des substrats semi-conducteurs. Le système de résines est basé sur le procédé classique de photorésist de type négatif, faisant intervenir une résine novolaque amplifiée chimiquement comme couche de base. Avec une sensibilité de 850 mJ/cm2, il offre une excellente délimitation de l'image et un haut degré de reproductibilité. Il est adapté à une variété de procédés allant du sub-micron à la fabrication de circuits intégrés à très grande échelle. Le procédé commence par le spin-enrobage de la résine sur le substrat, suivi du pré-cuisson et du four post-exposition. Le pré-cuisson permet à l'eau résiduelle de s'évaporer du film de résist, avant que la couche de résist ne soit exposée au photo-masque. Lors de la cuisson post-exposition, le film de résistance cuit à une température supérieure à la température de pré-cuisson, durcissant et densifiant le film de résistance. Le four post-exposition assure une bonne fidélité à l'image car la couche de polymère durcie présente moins de 0,5 % d'écart hors plan. La taille minimale obtenue est de 0,6 µm, ce qui convient à la production de transistors, condensateurs et autres composants électroniques miniaturisés. De plus, la résine photosensible contient de l'A-TSQ, ce qui contribue à réduire les effets de la pénétration alcaline. Le film développé est ensuite mis au point dans une solution de carbonate de sodium et d'hydroxyde d'ammonium. Le motif de résistance obtenu est ensuite transféré au substrat par un procédé de gravure à sec. Ce procédé combine une grande fidélité à l'image et un faible biais de gravure sèche pour obtenir une excellente sélectivité lors de la gravure de différents matériaux. En plus de ses capacités générales, DNS 80A est adapté à l'implantation ionique et aux structures de fixation avancées. Avec son faible facteur k et sa bonne profondeur de focalisation, l'unité de résistance fonctionne bien dans les processus avancés de balisage. Il permet des performances élevées et une perte de rendement faible, ce qui en fait un choix idéal pour une large gamme de procédés de production de semi-conducteurs. La machine est également très fiable, permettant la production de composants microélectroniques de haute qualité et fiables. Il a été utilisé dans les processus de production au cours des dix dernières années, et sa performance a été constante tout au long de cette période. Sa capacité à produire des composants semiconducteurs reproductibles et fiables sur de petites et grandes plaquettes le rend idéal pour une variété d'applications.
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