Occasion DNS / DAINIPPON RF3S #9392802 à vendre en France

DNS/DAINIPPON RF3S est un équipement photorésistant fabriqué par DNS SCREEN, un fournisseur bien connu d'outils lithographiques, de machines et de fournitures. Il est idéal pour la production de microcircuits, de MEMS (systèmes micro-électromécaniques) et d'autres structures à l'échelle du micron. Le système photorésistant DNS RF3S se compose de trois composants : un matériau de résistance, une unité de développement et une unité de strippage. Le matériau résineux est appliqué sur le substrat par des techniques de spin-coating ou de dépôt chimique en phase vapeur, puis exposé à la lumière. Selon le motif recherché, la lumière est générée directement à partir d'un masque ou d'une source lumineuse. L'exposition à la lumière provoque une modification de la structure du matériau résineux, conduisant à un film résineux modelé sur le substrat. L'unité développée traite ensuite le matériau résineux pour enlever la partie exposée, et la résine structurée restante peut être transférée sélectivement sur le substrat. L'unité de dénudage retire alors la résine parasite du substrat, ne laissant subsister sur le substrat que la résine structurée. Les avantages de la photorésistance DAINIPPON RF3S sont nombreux. Il offre une excellente définition et résolution de motif, avec ses résolutions ligne/espace de 0,2 μ m (0,008mil) et 0,1 μ m (0,004mil), respectivement. Elle permet également une forte planarisation, indispensable à la réalisation moderne de dispositifs. En outre, la machine offre une excellente facilité d'utilisation et est abordable. De plus, il peut être sans couture intégré dans les outils de lithographie j-OTF®-compatible. Enfin, le motif de résistance imprimé peut être facilement examiné avec son moniteur QC intégré. L'outil permet aux utilisateurs de vérifier la résolution des défauts ainsi que la qualité de l'image en même temps. En outre, il dispose d'un alignement de haute précision en s'alignant automatiquement sur la référence de motif avec une résolution de 0,2 μ m (0,008mil). Toutes ces caractéristiques en font un excellent choix pour la fabrication de dispositifs microélectroniques.