Occasion TEL / TOKYO ELECTRON ACT 8 #9142708 à vendre en France

TEL/TOKYO ELECTRON ACT 8 (TEL/TE TEL ACT 8) est un équipement de photorésistance développé par TOKYO ELECTRON (TEL/TOKYO ELECTRON). Ce système est conçu pour la fabrication de circuits intégrés de haute qualité en utilisant un processus d'exposition et de développement. L'unité se compose d'une série de composants physiques, dont un scanner ultra-haute fréquence, une source d'énergie et un porte-substrat. Le scanner est utilisé pour aligner et diriger un faisceau lumineux de haute intensité d'une certaine longueur d'onde d'exposition sur le porte-substrat. Le faisceau de lumière est ensuite modulé par un contrôleur E-F-P (Electric-Field-Plasma) permettant une exposition précise et répétable de la couche de photorésist. Le porte-substrat est conçu pour maintenir les couches de substrat et de résine photosensible pendant le processus d'exposition. Il a été conçu pour minimiser l'effet du chauffage du substrat causé par le contrôleur E-F-P. Enfin, la machine est également équipée de plusieurs dispositifs de sécurité, tels qu'un interrupteur d'arrêt d'urgence, qui permettent aux opérateurs d'arrêter automatiquement le processus en cas d'urgence. TEL/TE TOKYO ELECTRON ACT 8 photorésist outil est extrêmement précis et très fiable. Il est capable de réaliser des motifs relativement grands, tels que des cellules standard, à une résolution de 0,18 microns, avec une taille de caractéristique de 0,25 microns. Cela permet une intégration haute densité des circuits, et le rend idéal pour les produits avancés tels que les mémoires et les microprocesseurs. En outre, l'actif a un taux de distorsion pixel-pixel très faible de 0,5 %, assurant que la précision du motif est maintenue sur une longue période de temps. Ce taux de distorsion est encore amélioré par la capacité de TOKYO ELECTRON/TE ACT 8 à programmer des expositions multiples sur le même motif. En résumé, TOKYO ELECTRON ACT 8 est un modèle de photorésist très fiable qui permet de réaliser des analyses précises et d'intégrer des circuits à haute densité. Ses caractéristiques comprennent une modulation de la source lumineuse via un contrôleur E-F-P, un chauffage minimal du substrat et un faible taux de distorsion pixel à pixel. Cet équipement représente un excellent choix pour la fabrication de circuits intégrés avancés.