Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Producer SE #9182254 à vendre en France
URL copiée avec succès !
Appuyez sur pour zoomer
ID: 9182254
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2006
CVD System, 12"
(2) Chambers
Customer fab options:
Electrical requirements:
Line frequency: 60Hz
Line voltage: 200/208 VAC Platform
Chambers:
Chamber A and B:
Chamber process: XJ (PE Silane twin)
RF1 Generator: APEX 3000
Gas delivery:
Gas pallet type: Surface mount vertical
Regulated gas panel: No
Regulated TMS: No
Gas feed: Top
Gas panel cabinet exhaust: Top
Facilities interlock indicator: No
Facilities / Scrubber interface output: Fault
Transducers: Setra
Filters: Nippon
Manual valves: Hamlet
Pneumatic valves: Hamlet
Liquid source: No
Gas pallet configuration supplement:
Chamber A:
Gas line stick position / Process gas / MFC Size / Regulator (Yes, No) / Transducer (Yes, No)
#1 / C3H6 / 3000sccm / No / No
#3 / NF3 / 1000sccm / No / No
#8 / 02 / 30000sccm / No / No
#9 / AR / 15000sccm / No / No
#10 / HE / 5000sccm / No / No
#11 / O2 / 15000sccm / - / -
#12 / AR CLN / 10000sccm / No / No
#13 / N2 CLN / 15000sccm / No / No
Liquid 1 / P-N2 / - / No / Yes
Liquid 2 / P-N2 / - / No / Yes
Chamber B:
Gas line stick position / Process gas / MFC Size / Regulator (Yes, No) / Transducer (Yes, No)
#1 / C3H6 / 3000sccm / No / No
#3 / NF3 / 1000sccm / No / No
#8 / O2 / 30000sccm / No / No
#9 / AR / 15000sccm / No / No
#10 / HE / 5000sccm / No / No
#11 / O2 / 15000sccm / - / -
#12 / AR CLN / 10000sccm / No / No
#13 / N2 CLN / 15000sccm / No / No
#17 / P-N2 / - / No / Yes
#18 / P-N2 / - / No / Yes
Mainframe:
Local center finder: Yes
Cu Wafer sensor: No
MF Ch Harness installed: A & B
Third MF IO motion card
Robot blade: Standard VHP
Factory interface options:
300mm Factory interface 5.3 options:
WIP Delivery type: OHT
Pre alignment and centering: Single axis aligner
Wafer pass thru & storage: 8 Slot wafer pass thru
Atmospheric robots: KAWASAKI 2 fixed robots with edge grip
Remote control system cabable: Yes
Docked E99 reading capability: No
Load port types: Enhanced 25 wafer FOUP
Load port operator interface: Standard 9 light
Configurable color lights: No
Docking flange shield: No
Air intake system: Front facing intake plenum
E84 Pl/O Sensors and cables: Upper E84 sensors and cables
OHT Light curtain: Light curtain
Carrier ID host interface: Yes
Light towers: (3) Colors configurable
Fast data gateway software: No
Heat exchanger / Chiller:
Heat exchanger
AMAT HX hose and manifolds: No
Remote AC:
Facilities UPS interface
Chamber configuration:
Ch A / Ch B:
BFC
2" Foreline
T/V Type: 683B
RF Filter: (0090-05813)
RPS
FFU Controller
2006 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Producer SE (Plasma Enhanced Epitaxy Reactor) est un procédé commercial d'épitaxie à base de plasma utilisé pour la croissance de semi-conducteurs de haute qualité sur des substrats silicium et non silicium. AMAT Producer SE fournit un contrôle complet des processus en utilisant une plate-forme de production hautement fiable, sophistiquée et rentable. Le réacteur est capable de fournir des films de haute qualité avec une excellente uniformité et une excellente flexibilité pour le réglage des procédés. C'est l'outil d'épitaxie plasma le plus avancé et le plus économique disponible et idéal pour une production à haut volume. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le producteur SE offre une gamme de caractéristiques telles qu'une configuration unique de source à plasma parallèle, une technologie d'obturateur à fente réglable, de faibles densités de défauts et un large choix de capacités de processus de dépôt. La configuration des sources à plasma parallèle permet une uniformité du processus de tranche à tranche et une uniformité dopante supérieure sur les grands diamètres de tranche. La technologie de l'obturateur à fente réglable permet un contrôle précis de la profondeur de diffusion du plasma et élimine les variations dues à des polarisations de grille variables. En outre, la faible densité de défauts et la large gamme de capacités de dépôt de film garantissent des rendements élevés de films sans défaut, de haute performance et la capacité à adapter les propriétés des films pour répondre aux exigences spécifiques des dispositifs. Le réacteur est bien adapté pour la fabrication de dispositifs, l'échelle de 200 mm à 300 mm wafers, avec une capacité minimale de 8 nm. Il convient à de nombreux procédés de dépôt différents, y compris pour les substrats silicium et non silicium, tels que le nitrure de silicium, le CVD basse pression, le PECVD, le SiGe et le HFO. Le transformateur SE producteur a la capacité d'intégrer automatiquement trois processus de traitement par étapes distincts dans le traitement standard et de combiner différents processus de dépôt. AMAT/APPLIED MATERIALS Producteur SE propose également un traitement par lots sur une large gamme de températures ainsi que des dépôts à haut débit et des temps de cuisson plus rapides. Les alimentations de haute précision du réacteur permettent de contrôler avec précision les épaisseurs des films jusqu'à des épaisseurs d'oxyde de 0,5 à 1,0nm. Une variété de diagnostics non invasifs peuvent être effectués sur le réacteur, comme l'analyse des oscillations de pression, les essais RF, la surveillance des plaquettes et la vérification de l'uniformité des dépôts. Enfin, AMAT Producer SE dépasse les exigences de performance et de fiabilité de l'industrie, démontrées par sa dérive radiale extrêmement faible sur la durée de vie du produit. Dans l'ensemble, LES MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le producteur SE est l'outil le plus fiable et le plus rentable pour le dépôt de films d'épitaxie de haute qualité pour diverses applications de semi-conducteurs. Il offre une large gamme de caractéristiques et de capacités, assurant une uniformité de processus supérieure et une excellente flexibilité pour le réglage des processus, permettant la fabrication en grand volume de dispositifs semi-conducteurs avancés.
Il n'y a pas encore de critiques