Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Producer SE #9258633 à vendre en France
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Vendu
ID: 9258633
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2004
PECVD System, 12"
Process: APF
Chamber configuration: CVD ACL (APF)
(2) Twins chambers
EFEM and mainframe configuration:
EFEM: F1 5.3
FIS: IBM 306m
FES: IBM 306m
RT: VMIC 7326
(2) KAWASAKI FI Robots
FI Robot blade: AL Triangle shape
TDK Loadport
VHP Vacuum robot
Ceramic vacuum robot blade
Vacuum robot driver: NSK Driver
WOB Centerfinder
AC Rack: 208 VAC
Slit valve position: Loadlock / Chamber A / Chamber B
Does not include heat exchanger
Chamber configuration:
Process: APF
Chamber position: Chamber A / Chamber B
MKS Fl80131 (6L) Remote Plasma Source (RPS)
APEX 3013 HF RF Generator
0021-85838 Shower head
Process kit: PECVD Kits
ALN Heater
Gas panel:
Stick 1: O2 (15,000)
Stick 2: AR (5,000)
Stick 3: HE (5,000)
Stick 4: C3H6 (3,000)
Stick 5: N2-Purge
Stick 7: N2 (15,000)
Stick 10: O2 (15,000)
Stick 11: N2-Purge
Stick 12: NF3 (5,000)
Stick 13: AR (10,000)
2004 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Le producteur SE est un équipement de gravure ionique réactive (RIE) très avancé qui est conçu pour la gravure d'un large éventail de matériaux dans l'industrie des semi-conducteurs. Il combine deux technologies, à savoir les sources de plasma avancées et les sources de gravure avancées, en un seul ensemble intégré. Les sources de plasma avancées permettent la production de débit élevé avec une excellente uniformité de procédé tandis que les sources de gravure avancées permettent de graver divers matériaux isolants et conducteurs à des rapports d'aspect élevés. Le système RIE fonctionne en introduisant une variété de gaz dans la chambre de gravure, y compris un gaz de procédé, un gaz comburant et un gaz réactif. Ce mélange de gaz est ensuite ionisé en appliquant un champ électrique haute fréquence et une source de Plasmalab, ce qui crée un champ électrique uniforme dans la chambre de gravure et augmente la vitesse de gravure. Une fois le mélange de gaz ionisé, un générateur RF est utilisé pour générer le pulvérisateur ionique haute tension, qui est ensuite utilisé pour bombarder la pièce avec des ions énergétiques. Ce bombardement élimine le matériau indésirable de la surface de la pièce, permettant une gravure structurée. AMAT Producer SE dispose d'un contrôle informatique avancé pour optimiser les processus de gravure et améliorer la productivité. Son logiciel permet une automatisation complète du processus de gravure, permettant un meilleur contrôle du processus et une plus grande répétabilité. Le procédé de gravure peut être réglé finement pour différents matériaux et géométries grâce à des paramètres programmables, améliorant ainsi la reproductibilité du procédé et augmentant considérablement le rendement. La mémoire de recette de processus intégrée permet des changements rapides de réglage de processus pour différentes séquences de gravure, éliminant les erreurs de l'opérateur. En plus de ses capacités de gravure, APPLIED MATERIALS Producer SE propose également des procédés de dépôt assistés par plasma, tels que le dépôt par couche atomique (ALD), assurant un dépôt de couches minces de grande précision et permettant la création de structures et de dispositifs de grille complexes. Cette unité multifonctionnelle avancée peut réduire considérablement les temps de cycle et augmenter la productivité, tout en assurant la précision et la cohérence du processus. Producteur SE est une machine RIE étendue, capable de graver une large gamme de matériaux avec une excellente uniformité de processus. C'est un outil idéal pour créer des structures de haute qualité et reproductibles, avec des sélectivités et des rapports d'aspect qui ne sont pas possibles en utilisant les procédés traditionnels de gravure humide. De plus, la capacité d'affiner les paramètres de gravure pour différents matériaux, géométries et dépôts permet un meilleur contrôle des processus, une répétabilité et des rendements accrus. Ces caractéristiques font d'AMAT/APPLIED MATERIALS Producer SE une solution idéale pour les applications de gravure à semi-conducteur.
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